瓦里安Varian射線平板探測(cè)器不同類(lèi)型的原理

　　不同類(lèi)型的射線平板探測(cè)器其原理也有差異：

　　一、碘化銫型

　　一般原理是首先將X射線通過(guò)熒光介質(zhì)材料轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光，然后通過(guò)光敏元件將可見(jiàn)光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，最后通過(guò)A/D將模擬電信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)。

　　具體原理是：

　　1.曝光前陽(yáng)離子被存儲(chǔ)在硅表面上以產(chǎn)生均勻的電荷，從而在硅表面上產(chǎn)生電子場(chǎng)。

　　2.曝光期間在硅中產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，并向表面釋放自由電子，從而在硅表面產(chǎn)生了潛在的電荷像，并且每個(gè)點(diǎn)的電荷密度等于局部X射線強(qiáng)度。

　　3.曝光后X射線圖像存儲(chǔ)在每個(gè)像素中。

　　4.半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器讀取每個(gè)元素并完成模數(shù)轉(zhuǎn)換。

　　二、CCD型

　　一般原理是增強(qiáng)屏幕用作X射線交互介質(zhì)，并添加CCD以數(shù)字化X射線圖像。

　　具體原理以MOS電容器類(lèi)型為例：

　　在P型Si的表面形成一層SiO2，然后在其上蒸鍍一層多晶硅作為電極，并在P-上施加電壓。電極的Si型襯底，以在電極A的低勢(shì)能區(qū)或勢(shì)阱下形成它。勢(shì)阱的深度與電壓有關(guān)。電壓越高，勢(shì)阱越深。光生電子存儲(chǔ)在勢(shì)阱中。光生電子的數(shù)量與光的強(qiáng)度成正比。因此，存儲(chǔ)的電荷量也反映了該點(diǎn)的亮度。存儲(chǔ)在數(shù)百萬(wàn)個(gè)感光單元中的電荷形成與該圖像相對(duì)應(yīng)的電荷圖像。

　　三、非晶硒型

　　一般原理是光電導(dǎo)半導(dǎo)體將接收到的X射線光子直接轉(zhuǎn)換為電荷，然后通過(guò)薄膜晶體管陣列將電信號(hào)讀出并數(shù)字化。

　　具體原理：

　　1.X射線入射光子激發(fā)非晶硒層中的電子-空穴對(duì)。

　　2.電子和空穴在外部電場(chǎng)的作用下以相反的方向移動(dòng)以產(chǎn)生電流。電流的大小與入射的X射線有關(guān)。光子數(shù)成正比。

　　3.這些電流信號(hào)被存儲(chǔ)在TFT的電極間電容上，并且每個(gè)TFT和電容形成像素單元。